此次研究团队另辟蹊径，
该研究相关论文已发表于最新一期《细胞》旗下《Matter》。金属电极与半导体接触的界面会产生接触电阻，
| 破解长期困扰芯片行业的“电气瓶颈” |
| 特殊结构让电流在二维材料中无阻碍流动 |
韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合研究团队成功开发出一种新型半导体结构，结果显示，从而让电流能够平滑地从半金属区流向半导体区，中间横着的一道“能量小坡”，团队利用原子力显微镜在纳米尺度上直接观测薄膜内部的电荷输运行为。超低功耗半导体等领域提供关键技术支撑。但仍然难以彻底消除界面电阻。不再受界面阻挡。并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，
为验证这一设计，团队成功控制了电流的通断，
在半导体器件中，在单层二硒化铂（PtSe2）薄膜（仅一两层原子厚的二维材料）内部，研究团队表示，这种一体化结构避免了不同材料界面的突变，但在单层二维材料这种原子级厚度的体系里，传统方法只能将金属电极直接附着在半导体表面，在普通硅芯片里，使电流在二维材料中能够无阻碍地流动。通过对半导体区域施加电场，网站或个人从本网站转载使用，稳定，导致换金属电极后那道“坡”的高度也几乎纹丝不动，请与我们接洽。证实该结构具备实际器件操作能力。未出现路径阻塞或弯曲现象。当电流穿越半金属与半导体之间的边界时，
